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集成電路工藝原理判斷題每日一練(2019.11.24)
判斷題
集成電路制造工藝中隔離擴(kuò)散的深度可以不超過(guò)外延層的厚度。
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判斷題
LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。
答案：
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判斷題
成品率是指在一片晶圓上所有芯片中好芯片所占的百分比。
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判斷題
有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴(kuò)散區(qū)。
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判斷題
在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，濕法腐蝕是最主要的用來(lái)去除表面材料的刻蝕方法。
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