半導(dǎo)體芯片制造工單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.11.25)

單項(xiàng)選擇題
光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
單項(xiàng)選擇題
離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
單項(xiàng)選擇題
厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
A.降低
B.升高
C.保持不變
單項(xiàng)選擇題
下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
單項(xiàng)選擇題
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm