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集成電路工藝原理判斷題每日一練(2019.12.16)
判斷題
柵氧一般通過熱生長獲得。
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判斷題
離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。
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判斷題
當(dāng)硅片暴露在空氣中時，會立刻生成一層無定形的氧化硅薄膜。
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判斷題
離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。
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判斷題
管芯在芯片表面上的位置安排應(yīng)考慮材料的解理方向，而解理向的確定應(yīng)根據(jù)定向切割硅錠時制作出的定位面為依據(jù)。
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