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問答題
【簡答題】簡述化學(xué)氣相沉積（CVD）的優(yōu)點(diǎn)。
答案：
準(zhǔn)確控制薄膜的組分和摻雜水平、可在復(fù)雜的襯底上沉積薄膜、不需要昂貴的真空設(shè)備、高溫沉積可改善結(jié)晶完整性、可在大尺寸基片上...
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問答題
【簡答題】簡述氣相外延生長（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
答案：
是讓生長原材料以氣體或電漿粒子的形式傳輸至芯片表面，這些粒子在失去部份的動(dòng)能后被芯片表面晶格吸附 （Adsorb），通常...
問答題
【簡答題】外延生長有哪些顯著優(yōu)點(diǎn)？
答案：
（1）外延生長中，外延層中的雜質(zhì)濃度可以方便地通過控制反應(yīng)氣流中的雜質(zhì)含量加以調(diào)節(jié)，而不依賴于襯底中的雜質(zhì)種類與摻雜水平...
