單項(xiàng)選擇題

IGBT是MOSFET和GTR復(fù)合的產(chǎn)物，具有GTR的異通特性和MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性，（）是它的特性。

A.功率小
B.開(kāi)關(guān)頻率低
C.通態(tài)壓降高
D.損耗功率大

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