A、為防止催化劑發(fā)生氫還原,引氫進(jìn)裝置時(shí)床層最高點(diǎn)溫度應(yīng)低于150℃
B、硫化反應(yīng)是吸熱反應(yīng)
C、硫化溫度大于230℃后,循環(huán)氫中硫化氫含量大于1%(VOL)時(shí),適當(dāng)減少硫化劑注入量
D、在H2S未穿透催化劑床層前,床層最高點(diǎn)溫度不應(yīng)超過230℃
A、控制注硫量
B、控制硫化溫度
C、排尾氫
D、控制循環(huán)氫循環(huán)量
A、自燃點(diǎn)高
B、自燃點(diǎn)低
C、閃點(diǎn)高
D、閃點(diǎn)低