A、音頻 B、電流 C、電壓 D、磁路磁阻
A、微米數(shù)量級 B、毫米數(shù)量級 C、厘米數(shù)量級 D、納米數(shù)量級
A、擴(kuò)散硅芯片由單晶硅經(jīng)過采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴(kuò)散制成 B、其硅片上沿單晶硅的特點(diǎn)晶向,制成應(yīng)變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋 C、集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體 D、根據(jù)壓阻效應(yīng),將壓力轉(zhuǎn)換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流,再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線性關(guān)系,推算壓力大小。