A、交流側(cè)阻容吸收 B、可控硅元件兩端阻容 C、接地阻容
A、1.5—2 B、2—3 C、3—4
A、增加起動(dòng)轉(zhuǎn)矩 B、降低起動(dòng)電流 C、減少起動(dòng)電壓