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單項(xiàng)選擇題

干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。

A.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子
B.氧化的速度慢
C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多
D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差

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單項(xiàng)選擇題
干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個(gè)大氣壓。
A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.沒有要求
單項(xiàng)選擇題
下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些（）。
A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無關(guān)