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單項(xiàng)選擇題

不可以對(duì)SiO₂進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。

A.CHF₃
B.C₂F₆
C.C₃F₈
D.HF

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單項(xiàng)選擇題

大硅片上生長的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔

單項(xiàng)選擇題

刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案