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如鉭電容引線(xiàn)有熔接點(diǎn),彎曲點(diǎn)不允許在熔接點(diǎn)和元器件之間,熔接點(diǎn)到彎曲點(diǎn)之間應(yīng)保留()距離合適。
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元器件引線(xiàn)經(jīng)過(guò)彎曲成形,表面鍍層剝落不應(yīng)大于引線(xiàn)直徑的()。
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搪錫高度距元器件引線(xiàn)根部大約是()。
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