多項(xiàng)選擇題

記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會(huì)干擾短時(shí)記憶的原因是（）

A.電抽搐打斷了神經(jīng)元反響回路
B.電抽搐打斷了反響回路引起生化改變的過程
C.電抽搐打斷了蛋白質(zhì)分解過程
D.電抽搐打斷了RNA 分解過程
E.電抽搐使神經(jīng)元興奮

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