問答題

【計(jì)算題】已知n溝道MOSFET的溝道長度L=10μm，溝道寬度W=400μm，柵氧化層厚度tax=150nm，閾值電壓VT=3V，襯底雜質(zhì)濃度NA=9×1014cm-3，求柵極電壓等于7V時(shí)的漏源飽和電流。在此條件下，VDS等于幾伏時(shí)漏端溝道開始夾斷？計(jì)算中取μn=600cm2/（V·s）。

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