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位錯(cuò)的()是指在熱缺陷的作用下,位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng),結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。
A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少
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點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過(guò)程等有關(guān),以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是()。
A.弗侖克爾缺陷
B.肖特基缺陷
C.雜質(zhì)缺陷
D.A+B
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根據(jù)鮑林(Pauling)規(guī)則,離子晶體MX2中二價(jià)陽(yáng)離子的配位數(shù)為8時(shí),一價(jià)陰離子的配位數(shù)為()。
A.2
B.4
C.6
D.8
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