A.氧化先 B.脫碳先 C.同時(shí)
A.晶界面越多,形核率越高,冷卻后的組織越細(xì)小 B.晶界面越多,形核率越低,冷卻后的組織越細(xì)小 C.晶界面越多,形核率越高,冷卻后的組織越粗大 D.晶界面越少,形核率越高,冷卻后的組織越細(xì)小
A.GS線 B.ES線 C.A1點(diǎn) D.A3點(diǎn)