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當沖擊試驗不在室溫進行時,試樣從高溫或低溫裝置中移出至打斷的時間應不大于()S。
A.5
B.3
C.2
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沖擊試樣除端部外,表面粗糙度應優(yōu)于Ra()m。
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V型缺口沖擊試樣的缺口角度允許偏差是()。
A.-2°
B.+2°
C.±2°
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