你可能感興趣的試題

跟DRAM相比，SRAM的特點(diǎn)是（）

A.每位晶體管數(shù)目多，訪問時(shí)間短，抗干擾強(qiáng)，花費(fèi)高
B.每位晶體管數(shù)目多，訪問時(shí)間長，抗干擾強(qiáng)，花費(fèi)高
C.每位晶體管數(shù)目少，訪問時(shí)間長，抗干擾弱，花費(fèi)高
D.每位晶體管數(shù)目少，訪問時(shí)間短，抗干擾強(qiáng)，花費(fèi)低

單項(xiàng)選擇題

加載單元每個(gè)時(shí)鐘周期最多可以啟動（）條加載操作。

A.1
B.2
C.3
D.4

一個(gè)DRAM芯片的超單元被組織成一個(gè)4行4列的陣列，每個(gè)超單元都由8個(gè)DRAM單元組成，那么這個(gè)DRAM總共存儲了（）位信息

你可能感興趣的試題

跟DRAM相比，SRAM的特點(diǎn)是（）

加載單元每個(gè)時(shí)鐘周期最多可以啟動（）條加載操作。

一個(gè)DRAM芯片的超單元被組織成一個(gè)4行4列的陣列，每個(gè)超單元都由8個(gè)DRAM單元組成，那么這個(gè)DRAM總共存儲了（）位信息

跟DRAM相比，SRAM的特點(diǎn)是（）

加載單元每個(gè)時(shí)鐘周期最多可以啟動（）條加載操作。