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化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄,如GaN>GaP。
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金屬氧化物MO中氧原子過剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體,金屬原子過剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。
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處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體是一抗磁體,此時(shí)超導(dǎo)體具有屏蔽磁場和排除磁通的功能。
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