A.將成核率I=1cm-1S-1對(duì)應(yīng)的飽和比(或過冷度)稱為臨界飽和比。
B.隨飽和比增加,在接近臨界飽和比之前,成核率大體上保持為零
C.達(dá)到臨界飽和比時(shí),小晶體會(huì)以不連續(xù)的方式突然出現(xiàn)
D.臨界飽和比現(xiàn)象是由于成核率與驅(qū)動(dòng)力之間滿足指數(shù)規(guī)律的緣故
A.溫度
B.界面能
C.界面曲率半徑
D.化學(xué)勢(shì)
A.形成
B.孵化
C.生長(zhǎng)
D.團(tuán)聚