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氧化鋁(Al
2
O
3
)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si
3
N
4
)的介電常數(shù)。
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MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
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半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
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