問答題

室溫下，某半導體的本征載流子濃度為2×10^6 cm^-3 ,摻雜濃度為ND=10^15 cm^-3 ，電子和空穴的遷移率分別為8500cm^2/V·s 和400cm^2/V·s 。若外加電場強度為10V/cm ，則其漂移電流密度為 cm^2

答案： 漂移電流密度 \( J \) 可以通過以下公式計算：\[ J = q \cdot (n \cdot \mu_n + p ...
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