單項(xiàng)選擇題

IGBT比VDMOSFET多一層注入?yún)^(qū)，因而形成了大面積的P+N結(jié)（）

A.P-
B．P+
C．N-
D．N+

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單項(xiàng)選擇題

關(guān)于流程管理，以下說法錯(cuò)誤的是（）

A.使企業(yè)管理標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化、程序化
B．遵循循環(huán)前進(jìn)、階梯上升原則
C．又稱流程建設(shè)
D．包含員工培訓(xùn)

單項(xiàng)選擇題

SS4型電力機(jī)車架修時(shí)，TGZ4A-4×1680/1020型整流裝置中主整流管和主晶閘管測(cè)試電壓URRM（UDRM）為3000V時(shí)，斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電流不大于（室溫條件下）（）

A.45mA
B．50mA
C．55mA
D．60mA

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