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半導體芯片制造工半導體制造技術(shù)章節(jié)練習(2017.12.31)

問答題
CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？
答案：CVD過程包括兩個部分：一、反應劑在邊界層中的輸運二、反應劑在襯底表面的化學反應存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...
問答題
從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。
答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導電過程中會撞擊導體中的離子，將動量轉(zhuǎn)移給離子從而推動離子發(fā)生緩慢移動。該現(xiàn)象稱為電...
問答題
什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應？
答案：溝道效應：對晶體靶進行離子注入，當離子速度方向平行于主晶軸時，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運動，注入深度很深。由于溝道...
問答題
熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測量采用什么辦法？
答案：簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測量。所用器件為一個諧振板，它...
問答題
假設(shè)進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。
答案：（1）如果這次預淀積進行了總共t分鐘，若預淀積溫度不變，引入3Qcm^-2
問答題
寫出菲克第一定律和第二定律的表達式，并解釋其含義。
答案：費克第一定律：C雜質(zhì)濃度；D擴散系數(shù)（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時間內(nèi)流過單位面積的原子個數(shù)）解釋：如果在一個...
問答題
MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？
答案：Si工藝體硅微機械加工工藝（Bulkmicromaching）——用晶圓自身材料來制作MEM...
問答題
什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。
答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...
問答題
什么是兩步擴散工藝，其兩步擴散的目的分別是什么？
答案：實際的擴散溫度一般為900-1200℃，在這個溫度范圍內(nèi)，雜質(zhì)在硅中的固溶度隨溫度變化不大，采用恒定表面源...
問答題
下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。
答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠小于被釋放出來的硅原...

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半導體芯片制造工半導體制造技術(shù)章節(jié)練習(2017.12.31)

CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應？

熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測量采用什么辦法？

假設(shè)進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。

寫出菲克第一定律和第二定律的表達式，并解釋其含義。

MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？

什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

什么是兩步擴散工藝，其兩步擴散的目的分別是什么？

下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

半導體芯片制造工半導體制造技術(shù)章節(jié)練習(2017.12.31)

CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應？

熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測量采用什么辦法？

假設(shè)進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。

寫出菲克第一定律和第二定律的表達式，并解釋其含義。

MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？

什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

什么是兩步擴散工藝，其兩步擴散的目的分別是什么？

下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應？

熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測量采用什么辦法？

假設(shè)進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。

寫出菲克第一定律和第二定律的表達式，并解釋其含義。

MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？

什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

什么是兩步擴散工藝，其兩步擴散的目的分別是什么？

下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。