半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

問答題
電路如圖所示，已知ui＝5sinωt（V），二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。
答案：
波形如解圖
問答題
證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。
答案：
問答題
在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：（1）開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？（2）R的取值范圍是多少？
答案：
單項(xiàng)選擇題
對一定的半導(dǎo)體，其本征載流子濃度（）。
A.與溫度無關(guān)，與雜質(zhì)濃度無關(guān)
B.與溫度有關(guān)，與雜質(zhì)濃度有關(guān)
C.與溫度無關(guān)，與雜質(zhì)濃度有關(guān)
D.與溫度有關(guān)，與雜質(zhì)濃度無關(guān)
問答題
集成二極管中最常用的是哪兩種，具體什么特點(diǎn)？
答案：①集成齊納二極管：反向工作的BC短接二極管，沒有寄生PNP效應(yīng)，且儲存時間最短，正向壓降低；
②次表面齊納管：單...
問答題
什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)，費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？
答案：統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)描述的事熱平衡狀態(tài)下電子在允許的量子態(tài)如何分布的一個統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)。
費(fèi)米分布反映了Pauli不相容...
問答題
兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？
答案：兩性雜質(zhì)是指在半導(dǎo)體中既可作施主又可作受主的雜質(zhì)。如Ⅲ-Ⅴ族GaAs中摻Ⅳ族Si。如果Si替位Ⅲ族As，則Si為施主；如...
問答題
間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？
答案：間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應(yīng)，Et的存在可能大大促進(jìn)...
單項(xiàng)選擇題
下面說法正確的是（）
A.空穴是一種真實(shí)存在的微觀粒子
B.MIS結(jié)構(gòu)電容可等效為絕緣層電容與半導(dǎo)體表面電容的的并聯(lián)
C.穩(wěn)態(tài)和熱平衡態(tài)的物理含義是一樣的
D.同一種半導(dǎo)體材料中，電子遷移率比空穴遷移率高
問答題
摻有濃度為每立方米為1022硼原子的硅材料，分別計(jì)算①300K；②600K時費(fèi)米能級的位置及多子和少子濃度。
答案：

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半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

電路如圖所示，已知ui＝5sinωt（V），二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。

證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。

在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：（1）開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？（2）R的取值范圍是多少？

對一定的半導(dǎo)體，其本征載流子濃度（）。

集成二極管中最常用的是哪兩種，具體什么特點(diǎn)？

什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)，費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？

兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？

間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

下面說法正確的是（）

摻有濃度為每立方米為1022硼原子的硅材料，分別計(jì)算①300K；②600K時費(fèi)米能級的位置及多子和少子濃度。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

電路如圖所示，已知ui＝5sinωt（V），二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。

證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。

在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問： （1）開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？（2）R的取值范圍是多少？

對一定的半導(dǎo)體，其本征載流子濃度（）。

集成二極管中最常用的是哪兩種，具體什么特點(diǎn)？

什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)，費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？

兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？

間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

下面說法正確的是（）

摻有濃度為每立方米為1022硼原子的硅材料，分別計(jì)算①300K；②600K時費(fèi)米能級的位置及多子和少子濃度。

電路如圖所示，已知ui＝5sinωt（V），二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。

證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。

在圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD＝1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：（1）開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？（2）R的取值范圍是多少？

對一定的半導(dǎo)體，其本征載流子濃度（）。

集成二極管中最常用的是哪兩種，具體什么特點(diǎn)？

什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)，費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？

間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

摻有濃度為每立方米為1022硼原子的硅材料，分別計(jì)算①300K；②600K時費(fèi)米能級的位置及多子和少子濃度。