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集成電路制造工藝員（三級）章節(jié)練習(2020.05.31)

多項選擇題
二氧化硅薄膜厚度的測量方法有（）。
A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法
問答題
根據(jù)SMT在中國的發(fā)展水平，應選擇何種貼片機？
答案：在選購貼片機時，必須考慮其貼裝速度、貼裝精度、重復精度、送料方式和送料容量等指標，使它既符合當前產(chǎn)品的要求，又能適應近期...
多項選擇題
解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有（）。
A.加強工藝操作
B.加強人體和環(huán)境衛(wèi)生
C.使用高純化學試劑、高純水和超凈設備
D.采用HCl氧化工藝
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡
單項選擇題
當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無損傷劑量
D.零點劑量
單項選擇題
（）是因為吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并結(jié)合所形成的。
A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核團
單項選擇題
硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過（）到達晶片表面的。
A.粒子的擴散
B.化學反應
C.從氣體源通過強迫性的對流傳送
D.被表面吸附
問答題
簡述電解電容器的結(jié)構(gòu)、特點及用途。
答案：電解電容器以金屬氧化膜做為介質(zhì)，以金屬和電解質(zhì)做為電容的兩極，金屬為陽極，電解質(zhì)為陰極。
電解電容的特點是：<...
單項選擇題
（）是以物理的方法來進行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
單項選擇題
我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先失效，水呈（）性。
A.酸
B.堿
C.弱酸
D.弱堿
問答題
畫出自動焊接工藝流程圖。
答案：

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