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集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.16)

單項(xiàng)選擇題
在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
單項(xiàng)選擇題
單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅
單項(xiàng)選擇題
Torr是指（）的單位。
A.真空度
B.磁場(chǎng)強(qiáng)度
C.體積
D.溫度
單項(xiàng)選擇題
在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中，自由電子在碰撞氬原子之前可運(yùn)動(dòng)的平均距離又叫（）。
A.平均運(yùn)動(dòng)范圍
B.平均速度
C.平均碰撞距離
D.平均自由程
單項(xiàng)選擇題
用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。
A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定