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對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí),該位置帶有負(fù)電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生()。
A.負(fù)離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負(fù)離子
D.A或B
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位錯(cuò)的()是指在熱缺陷的作用下,位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng),結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。
A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少
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點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過(guò)程等有關(guān),以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是()。
A.弗侖克爾缺陷
B.肖特基缺陷
C.雜質(zhì)缺陷
D.A+B
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