半導體芯片制造工半導體制造技術章節(jié)練習(2017.12.26)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：腐蝕停止目的：為了精確控制腐蝕深度.P++腐蝕停止技術（形成重摻雜B層）：Si的濕法腐蝕速率在B摻雜濃度<1×10 參考答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學能量。當晶圓片表面有高... 參考答案：簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測量。所用器件為一個諧振板，它... 參考答案：無定形靶內的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標準偏差，&p... 參考答案：可動離子電荷Qm來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程... 參考答案：涂膠→前烘→對準與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅膜→顯影檢查 參考答案：反應室類型熱壁：反應室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻... 參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導電過程中會撞擊導體中的離子，將動量轉移給離子從而推動離子發(fā)生緩慢移動。該現(xiàn)象稱為電... 參考答案：在多晶硅薄膜中進行雜質擴散的擴散方式與單晶硅中的方式是不同的，因為多晶硅中有晶粒間界存在，所以雜質原子主要沿著晶粒間界進...
