半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2018.03.20)

來源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋集電結(jié)電容充電時間

隨發(fā)射極電流變化，B-C結(jié)空間電荷區(qū)和集電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時間常數(shù)。

2 當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.

3.名詞解釋等離子體

參考答案：等離子體又叫做電漿，是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負電子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，它廣泛存在于宇宙中，常...

4.問答題何謂歐姆接觸？

參考答案：金屬與半導(dǎo)體間沒有整流作用的接觸稱為歐姆接觸。實際上的歐姆接觸幾乎都是采用金屬-N⁺N半導(dǎo)體或金屬...

5.判斷題直流電流是大小和方向都不隨時間變化的電流。

6.名詞解釋異質(zhì)結(jié)

參考答案：兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。

7 參雜硼元素的半導(dǎo)體是（）.

8.問答題光刻的本質(zhì)是什么？

光刻就是將掩膜版（光刻版）上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的對光輻照敏感的薄膜材料（光刻膠）上去的工藝過程。

9.名詞解釋亞閾值導(dǎo)電

當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點時，MOSFET中的導(dǎo)電過程。

10.名詞解釋體電荷效應(yīng)

由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況。