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材料科學(xué)基礎(chǔ)單項選擇題每日一練(2020.06.09)

單項選擇題
位錯塞積的一個重要效應(yīng)是在它的前端引起（）
A.應(yīng)力偏轉(zhuǎn)
B.應(yīng)力松弛
C.應(yīng)力集中
單項選擇題
位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。
A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少
單項選擇題
下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯誤的（）。
A.晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的
B.晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松
C.晶界是原子、空位快速擴散的主要通道
D.晶界易受腐蝕
單項選擇題
一般實際金屬結(jié)晶過程是（）
A.均勻形核
B.非均勻形核
C.都有可能
D.以均勻形核開始，以非均勻形核結(jié)束
單項選擇題
對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。
A.負離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負離子
D.A或B

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